Bár a 3D IC-k még igencsak fejlesztési stádiumban vannak a legnagyobb félvezetőgyártóknál jelenleg, a Samsung, Elpida, Oki, NEC és IBM 2007-es bejelentései felgyorsíthatják a 3D TSV technológia adaptálását, különösen a memória és vezeték nélküli alkalmazások üzletágakban. Az új Yole 3D IC riport teljes technológiai és piaci analízist ad a legújabb 3D tokozási megoldásokról.

A 3D integráció befolyása az IC, MEMS és képérzékelő piacokra
A félvezető IC-kkel szemben folyamatos követelmény a csökkenő méretek mellett a növekedő teljesítmény, ugyanakkor tokozásuknak is meg kell felelniük az új funkcionalitások által támasztott követelményeknek. Sűrűség és teljesítmény tekintetében a mikrohuzalkötés nemsokára eléri határait, a mikroviákkal kialakított 3D rétegbe szervezés (TSV - Through-Si Via) alkalmazása nemsokára elkerülhetetlen lesz. Költségek tekintetében a Samsung azt jósolja, hogy a 3D-s technológiák megtörik a Moore-törvényt a Flash memóriákra vonatkozóan a 64 Gibit-et meghaladó chipkapacitástól kezdődően, továbbá a 3D integráció lesz a hajtóerő a heterogén technológiák összeintegrálása mögött.

A Yole Développement 3D IC riportjában elemzést közöl arról, hogyan lesznek a végberendezések, vezeték nélküli és számítástechnikai alkalmazások erős szorgalmazói a 3D IC integrációnak. Az első, tömeges felhasználású alkalmazások a rétegekbe szervezett memóriák (NAND flash-ek, DRAM-ok), FPGA-k, MEMS-ek, CMOS képszenzorok, teljesítményerősítők és RF passzív alkatrészek lesznek. A Yole becslése szerint a 3D-s IC-k száma 2012-re elérheti a több tízmilliós nagyságrendet.

További információ: www.yole.fr.